GaN基LED现在广泛用于室内和街道照明,TFT LCD显示器背光和汽车应用.LED芯片通常生长在蓝宝石或SiC衬底上。 芯片生长中最重要的工艺参数之一可能是温度。
铟掺入是高度依赖于工艺温度的(III / V比是另一个重要因素)。 因此非常希望在多量子阱(MQW)生长期间控制衬底温度。 过程侧(晶圆侧)的温度仪表的传统解决方案是发射率校正高温计(ECP)。 然而,对于本申请中使用的典型晶片,ECP测量基座温度而不是基板温度。 如果基板的正面被抛光并且基板在处理期间保持平坦,则这非常有效。
在实际过程中,晶片可以在一些反应器中的一侧稍微抬起并且可以在大多数反应器中弯曲。这在基板上产生温度不均匀性。遗憾的是,在IR透明基板的情况下,ECP不能检测到不均匀性。因此,来自ECP的测量可能误导MOCVD反应器用户的真实基板温度。
近年来,图案化蓝宝石衬底(PSS)已被广泛用于生产中。对于带图案的表面,ECP在反射测量中失去其精度,反过来,甚至在基座上也失去了温度测量的精度。
通过利用GaN外延层的不透明性,在400nm附近或低于400nm工作的高温计将能够精确地测量衬底温度。紫外高温计概念最初是由桑迪亚国家实验室提出的,近年来商业化才变得非常成功。
LumaSense提供经过验证的紫外高温计,价格实惠。来自UV 400的数据显示出非常线性的温度 - PL关系,这是ECP无法提供的。 UV 400是在极具竞争力的LED芯片市场中实现良率提升和质量控制的解决方案。 LumaSense可以帮助客户满足不同级别的实施需求。
LumaSense MOCVD - LED芯片优点:
1、真正的晶圆温度测量代替感受器温度测量
2、PSS上的精确温度测量
3、线性生长温度 - 波长关系
4、提高产量