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2N3417 硅NPN型晶体管

来源: 时间:2017-05-11 10:00:27 浏览次数:

CENTRAL半导体2N3417系列器件是通过外延平面工艺制造的硅NPN晶体管,专为通用和开关应用而设计。

                                 2N3417

最大额定参数: (TA=25℃ 除非另有说明)
象征 数值 单位
集电极-基极电压 VCBO 50 V
集电极 - 发射极电压 VCEO 50 V
发射极-基极电压 VEBO 5.0 V
连续集电极电流 IC 500 mA
功耗 PD 625 mW
功耗(TC=25°C) PD 1.5 W
操作和存储结温 TJ, Tstg -65 to +150


 2N3417》资料下载


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