Central半导体TIP36C - 247是由外延基极工艺制造的硅PNP功率晶体管，专为高电流放大器和开关应用而设计。
| / |
符号 |
/ |
单位 |
|
集电极 - 基极电压 |
VCBO |
100 |
V |
|
集电极 - 发射极电压 |
VCEO |
100 |
V |
|
发射极 - 基极电压 |
VEBO |
5.0 |
V |
|
连续集电极电流 |
IC |
25 |
A |
|
峰值集电极电流 |
ICM |
40 |
A |
|
连续基极电流 |
IB |
5.0 |
A |
|
功耗 |
PD |
125 |
W |
|
工作和存储结温 |
TJ, Tstg |
-65 to +150 |
°C |
|
热阻 |
ΘJC |
1.0 |
°C/W |
Central TIP36C硅PNP功率晶体管电气特性: (TC=25°C 除非另有说明)
| 符号 | 测试条件 |
最小 |
最大 | 单位 |
|
ICEO |
VCE=60V |
/ | 1.0 | mA |
|
ICES |
VCE=100V |
/ | 0.7 | mA |
|
IEBO |
VEB=5.0V |
/ | 1.0 | mA |
|
BVCEO |
IC=30mA |
100 | / | V |
|
VCE(SAT) |
IC=15A, IB=1.5A | / | 1.8 | V |
|
VCE(SAT) |
IC=25A, IB=5.0A |
/ | 4.0 | V |
|
VBE(ON) |
VCE=4.0V, IC=15A |
/ | 2.0 | V |
| VBE(ON) |
VCE=4.0V, IC=25A |
/ | 4.5 | V |
|
hFE |
VCE=4.0V, IC=1.5A |
25 | / | / |
|
hFE |
VCE=4.0V, IC=15A |
10 | 100 | / |
|
hfe |
VCE=10V, IC=1.0A, f=1.0kHz |
25 | / | / |
|
fT |
VCE=10V, IC=1.0A, f=1.0MHz |
3.0 | / | MHz |
