CENTRAL半导体CEDM7001由N通道DMOS工艺制造的N通道增强型硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET提供低rDS(上)和低保护电压。
CEDM7001场效应晶体管的特点:
•100mW功率损耗
•0.4mm低封装外形
•低rDS(ON)
•低阈值电压
•逻辑电平兼容
•小无铅表面贴装封装
CEDM7001场效应晶体管的应用:
•负载/电源开关
•直流-直流转换器
•电池供电的便携式设备
|
最大额定参数: (TA=25℃) |
SYMBOL | Quantity | UNITS |
| 漏源极电压 |
VDS |
20 | V |
| 栅源电压 |
VGS |
10 | V |
| 连续漏电流(稳定状态) |
ID |
100 | mA |
| 漏极电流峰值,tp=10μs |
IDM |
200 | mA |
| 功耗 |
PD |
100 | mW |
| 操作和存储结温 |
TJ, Tstg |
-65 to +150 |
℃ |
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