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2N5770 硅NPN型晶体管

来源: 时间:2017-05-11 15:23:34 浏览次数:

Central半导体2N5770型是为高频放大器和振荡器应用而设计的NPN硅外延平面晶体管。

                             2N5770

最大额定参数: (TA=25℃)
SYMBOL Quantity UNITS
集电极-基极电压 VCBO 30 V
集电极 - 发射极电压 VCEO 15 V
发射极-基极电压 VEBO 3.0 V
集电极电流 IC 50 mA
功耗(TC=25°C) PD 625 mW
操作和存储结温 TJ, Tstg -65 to +150
热敏电阻 JA 200 ℃/W

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