CENTRAL半导体2N5209和2N5210是通过外延平面工艺制造的硅NPN晶体管，专为需要高增益和低噪声的应用而设计。
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最大额定参数: (TA=25℃) |
象征 | 数值 | 单位 |
| 集电极-发射极电压 | VCEO | 50 | V |
| 集电极-基极电压 | VCBO | 50 | V |
| 发射极-基极电压 | VEBO | 4.5 | V |
| 集电极电流 | IC | 50 | mA |
| 功耗 |
PD |
350 |
mW |
| 功耗(TC = 25°C) | PD | 1.0 | W |
| 操作和存储结温 | TJ, Tstg | -65 to +150 | ℃ |
| 热敏电阻 | JA | 357 | ℃/W |
| 热敏电阻 | JC | 125 | ℃/W |
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