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1N4679 硅齐纳二极管

来源: 时间:2017-05-10 11:54:46 浏览次数:

CENTRAL半导体1N4679系列器件是专为需要极低工作电流(50uA)和低泄漏应用而设计的硅齐纳二极管。

1N4678

1、最大额定参数:TL=75℃
2、功率损耗:500mW

3、操作和存储结温:-65to+200℃


DO-35 CASE - 结构尺寸

1N4678


 《1N4679》资料下载

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