GaN基LED现在广泛用于室内和街道照明，TFT LCD显示器背光和汽车应用.LED芯片通常生长在蓝宝石或SiC衬底上。 芯片生长中最重要的工艺参数之一可能是温度。
近年来，图案化蓝宝石衬底（PSS）已被广泛用于生产中。对于带图案的表面，ECP在反射测量中失去其精度，反过来，甚至在基座上也失去了温度测量的精度。
LumaSense MOCVD - LED芯片优点：
1、真正的晶圆温度测量代替感受器温度测量
2、PSS上的精确温度测量
3、线性生长温度 - 波长关系
4、提高产量
铟掺入是高度依赖于工艺温度的（III / V比是另一个重要因素）。 因此非常希望在多量子阱（MQW）生长期间控制衬底温度。 过程侧（晶圆侧）的温度仪表的传统解决方案是发射率校正高温计（ECP）。 然而，对于本申请中使用的典型晶片，ECP测量基座温度而不是基板温度。 如果基板的正面被抛光并且基板在处理期间保持平坦，则这非常有效。
近年来，图案化蓝宝石衬底（PSS）已被广泛用于生产中。对于带图案的表面，ECP在反射测量中失去其精度，反过来，甚至在基座上也失去了温度测量的精度。
通过利用GaN外延层的不透明性，在400nm附近或低于400nm工作的高温计将能够精确地测量衬底温度。紫外高温计概念最初是由桑迪亚国家实验室提出的，近年来商业化才变得非常成功。
LumaSense MOCVD - LED芯片优点：
1、真正的晶圆温度测量代替感受器温度测量
2、PSS上的精确温度测量
3、线性生长温度 - 波长关系
4、提高产量
