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CMDD6001 硅开关二极管

来源: 时间:2017-05-12 14:20:32 浏览次数:

CENTRAL半导体CMDD6001型是通过外延平面工艺制造的硅开关二极管,环氧树脂模制在SUPERminiTM表面贴装封装中,专为需要极低泄漏二极管的开关应用而设计。

                  CMDD6001

最大额定参数:(TA = 25℃)
标志 数值 单位
连续的反向电压
VR
75 V
反向重复峰值电压
VRRM
100 V
持续的正向电流
IF
250 mA
重复的正向电流峰值
IFRM
250 mA
向前冲击电流峰值,tp = 1.0μs
IFSM
4.0 A
向前冲击电流峰值,tp = 1.0 s IFSM
1.0 A
功耗 PD
250 mW
操作和存储结温 TJ, Tstg
-65 to +150
热敏电阻
JA 500 ℃/W

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