CENTRAL半导体CJD122和CJD127是用于低速开关和放大器应用的表面贴装封装制造的互补硅功率达林顿晶体管。
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最大额定参数: (TA=25℃) |
SYMBOL | Quantity | UNITS |
| 集电极-基极电压 | VCBO | 100 | V |
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | 100 | V |
| 发射极-基极电压 | VEBO | 5.0 | V |
| 连续集电极电流 | IC | 8.0 | A |
| 峰值集电极电流 |
ICM |
16 | A |
| 连续基极电流 |
IB |
120 | mA |
| 功耗 | PD | 20 | W |
| 功耗(TC=25°C) | PD | 1.75 | W |
| 操作和存储结温 | TJ, Tstg |
-65 to +150 |
℃ |
| 热敏电阻 | JC | 6.25 | ℃/W |
| 热敏电阻 | JA | 71.4 | ℃/W |
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