CENTRAL半导体BCV47是通过外延平面工艺制造的硅NPN达林顿晶体管，环氧树脂模制在表面贴装封装中，专为需要极高增益的应用而设计。
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最大额定参数: (TA=25℃) |
SYMBOL | Quantity | UNITS |
| 集电极-基极电压 | VCBO | 80 | V |
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | 60 | V |
| 发射极-基极电压 | VEBO | 10 | V |
| 连续集电极电流 | IC | 500 | mA |
| 集电极电流峰值 | ICM | 800 | mA |
| 连续的基极电流 | IB | 100 | mA |
| 功耗(TC=25°C) | PD | 350 | mW |
| 操作和存储结温 | TJ, Tstg |
-65 to +150 |
℃ |
| 热敏电阻 | JA | 357 | ℃/W |
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