AE中低频电源提供了高效、易于整合的特性，以改进各种应用的工艺控制。

（1）PDX® 中频电源

        AE PDX® 系列小功率（1250和1400 W）及大功率（5000和8000 W）中频电源为各种广泛的工艺应用提供一种高效、紧凑、易于整合的电源。这些高度可靠的电源提高了工艺灵活性，提供广泛的运行频率范围以优化工艺控制，确保较高的工艺重复性，并提高了吞吐量。

（2）PEII 低频系列

        AE PEII 低频系列电源提供40 kHz 脉冲输出，具有增强的弧控制以及与高达60 kW 的输出功率，该系列电源具有极宽的匹配阻抗，无输出变压器等外部组合硬件，特别适用于反应溅射。

（3）LFGS 射频发生器

        AE LFGS 发生器是用于半导体生产和一般等离子处理的多功能射频发生器。此类可变频率发生器采用了一种半桥、D 类型放大器理念，拥有一种空冷式紧凑型的设计，可安装在19英寸机架上面。典型的应用包括溅射、等离子蚀刻、化学气象沉积、聚合以及表面处理。 

AE LFGS 射频发生器的优点：
* 可达到目前市场上可获得的最低反射功率

AE LFGS 射频发生器的功能：
* 空冷式设计
* 多功能前面板
* 脉冲模式：0到 10kHz
* 更完善的操作功能表
* 2个模拟用户端口
* RS-232 接口、以太网接口及 PROFIBUS 接口

（4）Crystal®低正弦波电源

        Advanced Energy (AE) 的 Crystal® 电源非常适用于大面积玻璃镀膜应用，如建筑玻璃、汽车玻璃、减反射镀膜和高反射镜等。更低的故障率，回报您更高的产量。这些电源的可用功率为 180kW,120KW,60KW。为双靶磁控溅射应用提供了更宽祖抗匹配的低频率正弦工艺电源。AE 的 Crystal 电源是唯一特别为等离子环境而设计拓扑结构的交流电大功率AE电源。

AE Crystal®低正弦波电源的优势：
* 更灵活
* 产量更高
* 减少当机时间
* 吞吐量提高

AE Crystal®低正弦波电源的特点：
* 宽阻抗匹配低频率正弦工艺电源
* 大功率电源——最大180kW 功率
* 专为等离子环境而设计

（5）Ascent® DMS 先进的孪生磁控阴极溅射系统：30 - 180 kW

        AE Ascent® DMS 系列为双磁控靶溅射应用提供了前所未有的功率输出便利和控制能力，可以精确调控薄膜特性。具备可选的频率、调节模式、占空比以及低电弧储能和简洁的模块化系统配置、使 Ascent DMS 电源系统与众不同、成为新一代的双磁控靶溅射电源方案。依靠高性价比、可扩展性和多功能等特性、最大限度降低了设备复杂程度提高了镀膜质量与产能、从而实现高端的的工艺创新。

使用AE Ascent® DMS 系列的利益：
* 提升了膜层价值：实现可重复的、创新、定制的的镀膜
* 降低使用成本，提高镀膜产能
* 降低先期设备投资
* 更高的功率输出，更少的电弧破坏
* 方便扩展、整合和技术支持

AE Ascent® DMS 系列的特征：
* 模块化，可扩展（30、40 和 60 kW 机型可最高组合成 180 kW 功率输出）
* 频率可选 ( 500 Hz - 50 kHz )
* 功率、电流及电压模式控制
* 占空比可调- 可以控制输入到每个磁控靶的功率
* 单极和双极运行
* 比其他任何双磁控靶溅射电源的电弧能量更低
* 具备CEX功能（相位同步）

* 符合 EU RoHS