相比第一代和第二代半导体材料而言，第三代半导体材料具有较大禁带宽度，能够显著提升半导体器件的性能。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石等，适合应用于高温、抗辐射的场合。2016年，国务院印发《“十三五”国家科技创新规划》，其中，第三代半导体是新材料研发领域的重要组成部分。如今，北京、无锡、成都、深圳等地都在积极抢占这一产业制高点。

        20日至22日，中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛全球总决赛在北京举行。此次活动由第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府联合主办，由中关村科技园区顺义园管理委员会承办。大赛历经半年的征集、选拔，集合了570余个优质项目和优秀团队报名参赛。同时，大赛开设了大中小企业融通专场，邀请了新能源智能汽车、高端装备等产业的龙头企业参会，实现大中小企业融通发展和创新项目协同创新。